国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN121865912A，申请日期为2024年10月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：方法包括：提供衬底，其中衬底包括第一区域和第二区域，在第一区域的衬底内形成有源极；栅氧层位于第一区域，场氧层位于第二区域；形成栅电极层；形成氧化层覆盖栅氧层、栅电极层以及场氧层上的多晶硅层；形成覆盖栅电极层的绝缘侧墙，并去除所述绝缘侧墙外侧的部分所述栅氧层，进行金属自对准硅化工艺，以在所述源极的表面形成导电层；去除栅电极层顶部的绝缘侧墙，形成第一介质层，形成第二介质层；同时刻蚀去除部分所述第一介质层和部分第二介质层，以形成源极接触孔和栅极接触孔。本申请能够同时刻蚀形成源极接触孔和栅极接触孔，降低了工艺流程的复杂程度以及制造成本。

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　　天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2904次，财产线条，此外企业还拥有行政许可192个。

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