艾迈斯-欧司朗申请用于制造光电子器件的方法和光电子器件专利保留有覆盖半导体芯片侧壁的框架

作者：小编发布时间：2026-01-24 05:17:12 浏览量：

　　国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“用于制造光电子器件的方法和光电子器件”的专利，公开号CN121368939A，申请日期为2024年5月。

　　专利摘要显示，一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供载体，所述载体具有光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片设置在载体的上侧处，其中光电子半导体芯片具有前侧、后侧和侧壁，其中光电子半导体芯片的后侧朝向载体的上侧取向；在载体的上侧处设置可光结构化的第一材料，其中第一材料是硅有机玻璃，其中将光电子半导体芯片嵌入到第一材料中；以及对第一材料进行光结构化，使得保留有覆盖光电子半导体芯片的侧壁的框架。