国家知识产权局信息显示,艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法”的专利,公开号CN121080144A,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,提出一种光电子半导体器件(1),其包括半导体层序列(10),所述半导体层序列包括:缓冲层(11),其具有三维结构,所述三维结构具有部分合并区域(111),其中部分合并区域(111)具有凹陷部(113);第一导电类型的第一半导体层(13),其设置在缓冲层(11)的未掺杂层(12)上;有源区(14),其至少局部地设置在第一半导体层(13)上;和第二导电类型的第二半导体层(15),其设置在有源区(14)的背离第一半导体层(13)的侧上并且延伸到凹陷部(113)中,其中在运行时进行从设置在凹陷部(113)中的第二半导体层(15)中进行到有源区(14)中的侧向的载流子注入。例如,光电子半导体器件(1)是微型LED。此外,提出一种用于制造这种光电子半导体器件(1)的方法。
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