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艾迈斯-欧司朗申请光电子半导体器件及制造方法专利实现从凹陷部第二半导体层到有源区的侧向载流子注入

作者:小编    发布时间:2025-12-08 11:01:54    浏览量:

  国家知识产权局信息显示,艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法”的专利,公开号CN121080144A,申请日期为2024年5月。

  专利摘要显示,提出一种光电子半导体器件(1),其包括半导体层序列(10),所述半导体层序列包括:缓冲层(11),其具有三维结构,所述三维结构具有部分合并区域(111),其中部分合并区域(111)具有凹陷部(113);第一导电类型的第一半导体层(13),其设置在缓冲层(11)的未掺杂层(12)上;有源区(14),其至少局部地设置在第一半导体层(13)上;和第二导电类型的第二半导体层(15),其设置在有源区(14)的背离第一半导体层(13)的侧上并且延伸到凹陷部(113)中,其中在运行时进行从设置在凹陷部(113)中的第二半导体层(15)中进行到有源区(14)中的侧向的载流子注入。例如,光电子半导体器件(1)是微型LED。此外,提出一种用于制造这种光电子半导体器件(1)的方法。

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