金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯旺电子科技有限公司取得一项名为“MOSFET器件性能测试装置”的专利，授权公告号CN223155045U，申请日期为2024年05月。

　　专利摘要显示，本实用新型提供一种MOSFET器件性能测试装置，涉及MOSFET器件技术领域。该实用新型包括测试箱，所述测试箱的内部开设有空腔，所述空腔的内部设置有连接板，所述空腔的内部设置有控制机构，所述控制机构包括按压板一。该实用新型通过按压板一、支撑柱一、按压板二、支撑柱二、橡胶连接柱、连接板和测试机构的设置，按压按压板一，在支撑柱一的支撑下，按压板一能够带动按压板二抬高，按压板二和按压板一铰接的一端抬高时，在支撑柱二的支撑作用下，橡胶连接柱会挤压连接板从而使连接板底面的若干个测试机构均能够对凹槽中的MOSFET器件起到压测效果，减少了工作人员的工作强度，提高了MOSFET器件的测试效率，降低了MOSFET器件的测试损坏率。

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　　天眼查资料显示，江苏芯旺电子科技有限公司，成立于2023年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3600万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯旺电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。

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